Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
磯谷 順一*; 大島 武; 大井 暁彦; 森下 憲雄; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 206, p.965 - 968, 2003/05
被引用回数：8 パーセンタイル：50.24(Instruments & Instrumentation)イオン注入により炭化ケイ素(SiC)半導体に導入したリン(P)ドナー不純物の電気的活性化に伴うP原子の格子間位置への置換や注入欠陥除去などの微視的構造変化を明らかにするため、9
21MeV(9段階)または340keVのエネルギーでP注入を行ったn型六方晶SiC(6H-SiC)のESR測定を実施した。P注入は室温、800
または1200で行い、注入後にアルゴン中で最高温度1650まで熱処理を行った。注入後熱処理を行うことでP原子がSiC格子点に配置してドナーとなり、ドナー電子と
Pの超微細相互作用により2本に分裂したESRスペクトルが出現することを見出した。現在、スペクトル解析によりPドナーの構造対称性や電子スピン状態の検討を進めている。本会議ではPドナーの微視的構造の解析結果に加え、照射欠陥のアニール挙動についても報告する。
伊藤 久義; T.Troffer*; C.Peppermuller*; G.Pensl*
Applied Physics Letters, 73(10), p.1427 - 1429, 1998/09
被引用回数：31 パーセンタイル：76.89(Physics, Applied)六方晶炭化珪素(4H-SiC)半導体におけるホウ素(B)アクセプターの電気的活性化に対する炭素(C)または珪素(Si)共注入効果を、ホール測定及びフォトルミネッセンス(PL)測定法を用いて調べた。この結果、B注入層の正孔濃度は、B単独注入の場合と比較し、C共注入を行うと増加し、Si共注入を行うと減少することが解った。C共注入を高温(800
C)で実施すると、室温C共注入と比べ、正孔濃度はより一層増加することを見出した。またPL測定より、浅い準位を有するBアクセプターに起因する波長383.9nmの発光線強度が、C共注入により増大することが解った。これらの結果は、B注入により作製したp型層の電気特性がC共注入により改善されることを示している。また本論文では、注入B原子の電気的活性化に対する共注入効果の機構についても議論する。
